HIKSTOR eMRAM工藝平臺
馳拓科技eMRAM因其存儲單元電路結構是由1個NMOS與1個MTJ單元組成,磁隧道結(MTJ)集成于后段2層金屬層之間,可以兼容現有各CMOS晶圓廠的標準工藝制程。
馳拓科技eMRAM平臺在90、40和28nm已實現產品量產,現具有多款eMRAM IP可供客戶選擇,另外可根據客戶產品的需求進行eMRAM IP的定制。eMRAM IP的規格書和IP定制服務,歡迎聯系馳拓科技市場/銷售進行咨詢。
馳拓科技的eMRAM平臺提供多項目晶圓(Multiple Project Wafer,MPW)服務,可以滿足客戶驗證產品的需求,為客戶節省研發時間和成本。MPW時間表、預訂MPW坐席,歡迎聯系馳拓市場/銷售進行咨詢。
